參數(shù)資料
型號： MRF6P21190HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管，N溝道增強型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 8/12頁
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代理商： MRF6P21190HR6
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P21190HR6
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2000
2110
2140
3.43 - j10.06
3.39 - j6.07
3.22 - j7.13
5.63 - j12.88
4.36 - j10.02
4.56 - j8.49
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1900 mA, P
out
= 44 W Avg.
Z
o
= 25
Z
load
f = 2200 MHz
f = 2000 MHz
Z
source
2170
2200
3.69 - j5.16
3.76 - j5.45
5.11 - j7.41
5.42 - j6.67
f = 2000 MHz
f = 2200 MHz
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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