參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9100NR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： PLASTIC, CASE 1486-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大?。?/td> 426K
代理商： MRF5S9100NR1
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
70
0
0.1
7th Order
TWO TONE SPACING (MHz)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
VDD = 26 Vdc, Pout = 96 W (PEP), IDQ = 950 mA
Two Tone Measurements, Center Frequency = 880 MHz
5th Order
3rd Order
110
10
20
30
40
50
60
38
48
58
28
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
57
56
55
54
53
52
51
50
49
29
30
31
32
33
34
35
36
37
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
D
η
D
100
0
50
1
80
30
Gps
ACPR
ALT1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. IS-95 ACPR, Power Gain, Efficiency
and ALT1 versus Output Power
VDD = 26 Vdc, IDQ = 950 mA, f = 880 MHz
N CDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging,
Traffic Codes 8 through 13)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
AL
T1,
CHANNEL
POWER
(dBm)
45
35
40
35
45
30
50
25
55
20
60
15
65
10
70
575
10
Ideal
P3dB = 51.58 dBm (143 W)
VDD = 26 Vdc, IDQ = 950 mA
Pulsed CW, 8
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 880 MHz
Actual
P1dB = 50.71 dBm (117 W)
180
17
20
0
VDD = 12 V
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IDQ = 950 mA
f = 880 MHz
16 V
20 V
24 V
32 V
19.5
19
18.5
18
17.5
30
60
90
120
150
220
1010
80
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
100
120
140
160
180
109
107
108
Figure 11. MTTF Factor versus Junction Temperature
MTTF
FACT
OR
(HOURS
x
AMPS
2 )
200
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9100NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF5S9101MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF5S9101NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF5S9101NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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參數(shù)描述
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MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
MRF5S9101NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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