參數(shù)資料
型號： MRF5S9100NBR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： PLASTIC, CASE 1484-02, 4 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 426K
代理商： MRF5S9100NBR1
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
920
6
22
830
70
50
IRL
Gps
ACPR
ALT
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. IS-95 Broadband Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 26 Vdc, Pout = 20 W (Avg.), IDQ = 950 mA
N CDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 through 13)
30
10
20
15
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
EFFICIENCY
(%)
ACPR
(dBc),
AL
T
(dBc)
25
,DRAIN
η
D
20
40
18
30
16
20
14
30
12
40
10
50
860
840
850
860
870
880
890
900
910
η
D
920
6
22
830
80
10
IRL
Gps
ACPR
ALT
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. IS-95 Broadband Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 26 Vdc, Pout = 2 W (Avg.), IDQ = 950 mA
N CDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Codes 8 through 13)
30
10
20
15
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
EFFICIENCY
(%)
ACPR
(dBc),
AL
T
(dBc)
25
,DRAIN
η
D
20
8
18
6
16
4
14
40
12
50
10
60
870
840
850
860
870
880
890
900
910
1000
16
21
0.1
IDQ = 1425 mA
1150 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 26 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
475 mA
700 mA
950 mA
20
19
18
17
1
10
100
1000
70
20
0.1
IDQ = 475 mA
1425 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
VDD = 26 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
950 mA
700 mA
1150 mA
25
30
35
40
45
50
55
60
65
1
10
100
IMD,
THIRD
ORDER
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9100MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF5S9101MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF5S9101NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF5S9101NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9101MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9101MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2724 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9101MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2704 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
MRF5S9101NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*