參數(shù)資料
型號： MRF5S9100MR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： CAP 1500PF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014
中文描述： N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大小： 442K
代理商： MRF5S9100MR1
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TO-272 WB-4
PLASTIC
MRF5S9100NBR1(MBR1)
éééééé
éééééé
éééééé
éééééé
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éééééé
éééééé
éééééé
éééééé
éééééé
CASE 1484-02
ISSUE B
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M1994.
3. DATUM PLANE H IS LOCATED AT TOP OF LEAD
AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD WHERE THE
LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT THE TOP OF
THE PARTING LINE.
4. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .006 PER SIDE. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE
DETERMINED AT DATUM PLANE H.
5. DIMENSION "b1" DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE .005 TOTAL IN EXCESS
OF THE "b1" DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. DATUMS A AND B TO BE DETERMINED AT
DATUM PLANE H.
7. DIMENSION A2 APPLIES WITHIN ZONE "J" ONLY.
8. HATCHING REPRESENTS THE EXPOSED AREA OF
THE HEAT SLUG.
DATUM
PLANE
Y
Y
DIM
A
A1
A2
MIN
.100
.039
.040
MAX
.104
.043
.042
MIN
2.54
0.99
1.02
MAX
2.64
1.09
1.07
MILLIMETERS
INCHES
D2
E
E1
.600
.551
.353
.559
.357
15.24
14.2
9.07
E2
E3
.270
.346
.350
6.86
8.79
8.89
D
D1
.928
.810 BSC
.932
23.57
20.57 BSC
23.67
14
8.97
b1
c1
r1
.164
.007
.063
.106 BSC
.004
.170
.011
.068
4.17
.18
1.60
2.69 BSC
.10
4.32
.28
1.73
e
aaa
B
A
E1
D
4X
b1
aaa
D1
E
GATE LEAD
M
C A
M
aaa
C A
D2
E2
VIEW Y-Y
4X
e
F
.025 BSC
0.64 BSC
A1
C
H
c1
A
ZONE J
SEATING
PLANE
PIN 5
2X
r1
B
DRAIN LEAD
F
A2
7
NOTE 8
1
2
3
4
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
E3
E3
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