參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9080NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/20頁
文件大?。?/td> 755K
代理商： MRF5S9080NR1
MRF5S9080NR1 MRF5S9080NBR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS - 800 MHz
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
940
14
20
820
40
80
40
19
17
20
0
16
20
840
860
880
900
920
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 18. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout = 80 Watts
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
IDQ = 600 mA
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
18
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
940
12
22
820
40
60
40
20
16
20
0
14
20
840
860
880
900
920
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 19. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ Pout = 36 Watts
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
IDQ = 600 mA
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
18
910
0
5
850
Pout = 50 W Avg.
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. EVM versus Frequency
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
rms)
VDD = 28 Vdc
IDQ = 550 mA
20 W Avg.
5 W Avg.
4
3
2
1
860
870
880
890
900
ηD
100
0
1
0
EVM
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 21. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
rms)
TC = 25_C
7
70
660
4
40
20
2
10
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
5
3
1
50
30
10
VDD = 28 Vdc
IDQ = 550 mA
f = 880 MHz
EDGE Modulation
15
60
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PDF描述
MRF5S9080NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF5S9100NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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MRF5S9100N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S9100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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