參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9070NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN
文件頁數(shù)： 12/14頁
文件大?。?/td> 548K
代理商： MRF5S9070NR1
MRF5S9070NR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
37
45
55
27
Ideal
P3dB = 49.78 dBm (94.97 W)
Actual
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P out
,
OUTPUT
POWER
(dBm)
VDD = 26 Vdc, IDQ = 600 mA
Pulsed CW, 8
μsec (on), 1 msec (off)
f = 880 MHz
P1dB = 49.11 dBm (81.54 W)
28
29
30
31
32
33
34
35
36
54
53
52
51
50
49
48
47
46
6
20
1
80
60
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. N-CDMA ACPR, Power Gain and
Drain Efficiency versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
VDD = 26 Vdc, IDQ = 600 mA, f = 880 MHz
SingleCarrier NCDMA, IS95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 through 13)
10
18
40
16
20
14
0
12
20
10
40
8
60
ALT
100
8
20
1
10
70
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 26 Vdc
IDQ = 600 mA
f = 880 MHz
18
60
16
50
14
40
12
30
10
20
10
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
210
109
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
108
106
MTTF
FACT
OR
(HOURS
X
AMPS
2 )
90
110
130
150
170
190
100
120
140
160
180
200
Figure 11. MTTF Factor versus Junction Temperature
107
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9080NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF5S9080NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9100NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
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參數(shù)描述
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MRF5S9100MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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