參數(shù)資料
型號: MRF5S21130HR3
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
文件頁數(shù): 2/12頁
文件大?。?/td> 398K
代理商: MRF5S21130HR3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21130HR3 MRF5S21130HSR3
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21130SR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5S21130R3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5S21150HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5S21150HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5S21150SR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF5S21130HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HS 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MRF5S21130HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs