參數(shù)資料
型號： MRF5S19060NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 595K
代理商： MRF5S19060NR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
55
10
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
VDD = 28 Vdc, Pout = 12 W (Avg.), IDQ = 750 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
5th Order
3rd Order
15
20
25
30
35
40
1
100
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
90
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
10
35
20
30
25
40
15
60
1
10
100
50
20
VDD = 28 Vdc, IDQ = 750 mA
f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz
2Carrier NCDMA, 2.5 MHz Carrier
Spacing, 1.2288 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
44
54
31
P3dB = 49.4 dBm (87 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 750 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 1960 MHz
50
46
44
32
34
33
35
42
39
Actual
Ideal
P1dB = 48.65 dBm (73.3 W)
51
49
45
40
30
100
10
16
1
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 750 mA
f = 1960 MHz
TC = 30_C
25
_C
85
_C
10
15
14
13
12
11
50
40
30
20
10
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD = 32 V
28 V
IM3
Gps
85
_C
ACPR
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IM3,
(dBc),
ACPR
(dBc)
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
10
16
30
90
50
15
12
11
70
14
13
IDQ = 750 mA
f = 1960 MHz
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
50
45
5
10
25
_C
TC = 30_C
85
_C
25
_C
30
_C
30
_C
25
_C
85
_C
30
_C
25
_C
85
_C
85
_C
30
_C
25
_C
24 V
70
80
ηD
47
48
52
53
36 37
38
41
43
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PDF描述
MRF5S19060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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MRF5S19090LSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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