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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5P21240R6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | MRF5P21240R6 |
5-612
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
MRF5P21240R6
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
2200
5
15
2080
50
40
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 28 Vdc, Pout = 52 W (Avg.), IDQ = 2200 mA
2 Carrier W CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
,DRAINη
30
5
10
15
20
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
EFFICIENCY
(%)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
25
2100
2120
2140
2160
2180
14
35
13
30
12
25
11
20
10
25
9 30
8 35
7 40
6 45
300
12
14
2
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
13.5
13
12.5
100
10
IDQ = 2640 mA
2420 mA
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two Tone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
2200 mA
1980 mA
1760 mA
300
55
25
2
IDQ = 2640 mA
2420 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
INTERMODULA
TION
DIST
O
R
T
ION
(dBc)
IMD,THIRD
ORDER
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two Tone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
30
35
40
45
50
10
100
2200 mA
1980 mA
1760 mA
30
55
25
0.1
7th Order
TWO TONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
VDD = 28 Vdc, Pout = 240 W (PEP), IDQ = 2200 mA
Two Tone Measurements, Center Frequency = 2140 MHz
5th Order
3rd Order
30
35
40
45
50
110
46
50
60
36
Ideal
P3dB = 55.03 dBm (318.24 W)
Actual
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 2200 mA
Pulse CW, 8
sec(on), 1.6 msec(off)
Center Frequency = 2140 MHz
59
58
57
56
55
54
53
52
51
37
38
39
40
41
42
43
44
45
P1dB = 54.36 dBm (272.9 W)
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