參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5P21180HR6
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 371K
代理商： MRF5P21180HR6
MRF5P21180HR6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
0
40
4
55
15
Gps
ACPR
IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) WCDMA
Figure 8. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1600 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2 x WCDMA, 10 MHz @ 3.84 MHz Bandwidth
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
35
20
30
25
30
20
35
15
40
10
45
5
50
6
8
10
30
50
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
110
120
70
20
80
60
50
(dB)
90
100
40
30
3.84 MHz
Channel BW
IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
20
515
10
0
5
10
15
20
25
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
PROBABILITY
(%)
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 11. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
220
100
120
140
160
180
200
107
1010
109
108
MTTF
FACT
OR
(HOURS
x
AMPS
)2
ηD
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5P21180HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5P21240R6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5S19130HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5S19150HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF607 Si, RF POWER TRANSISTOR, TO-39
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參數(shù)描述
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MRF5P21180R6 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
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