參數(shù)資料
型號(hào)： MRF581A
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, M238, MACRO-X-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 240K
代理商： MRF581A
MSC1318.PDF 10-25-99
MRF581/MRF581A
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
2.5
2.0
Min.
Max.
3.0
3.0
Unit
NFmin
Minimum Noise Figure MRF581
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 0.5 GHz) MRF581A
-
dB
G
NF
Power Gain @ NFmin
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 0.5 GHz)
13
15.5
dB
G
U max
Maximum Unilateral Gain (1)
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
17.8
-
dB
MSG
Maximum Stable Gain
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
-
20
-
dB
|S
21
|
2
Insertion Gain
IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 MHz
14
15
-
dB
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 10 V, IC = 50 mA
f
(MHz)
100
S11
S21
S12
S22
|S11|
.610
∠ φ
-137
|S21|
23.8
∠ φ
116
|S12|
.026
∠ φ
46
|S22|
.522
∠ φ
-78
200
.659
-161
13.2
98
.033
47
.351
-106
300
.671
-171
9.0
89
.040
51
.304
-120
400
.675
-178
6.8
83
.047
55
.292
-128
500
.677
176
5.5
77
.055
58
.293
-132
600
.678
172
4.6
72
.064
61
.299
-134
700
.677
168
4.0
68
.073
62
.306
-135
800
.679
184
3.5
64
.082
63
.314
-136
900
.678
160
3.1
60
.092
64
.322
-138
1000
.682
156
2.8
56
.102
65
.311
-139
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF904 2 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF951 CAP CERAMIC 4PF 25V C0G 0201
MS-136-C(P) Coaxial Switches
MS-136 Coaxial Switches
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參數(shù)描述
MRF581AG 功能描述:TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):BFP 740FESD E6327DKR
MRF581AGT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581AGT - Bulk
MRF581G 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):BFP 740FESD E6327DKR
MRF581GT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581GT - Bulk
MRF581LF 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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