參數(shù)資料
型號(hào)： MRF557G
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M234, POWER MACRO PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： MRF557G
MRF557
MRF557G
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Rev A 9/2005
* G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish
DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in
the UHF frequency range.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25
°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
16
Vdc
VCBO
Collector-Base Voltage
30
Vdc
VEBO
Emitter-Base Voltage
3.0
Vdc
IC
Collector Current
500
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75
°C
Derate above 75
°C
3.0
40
Watts
mW/
°C
Power Macro
Features
Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics
Output Power = 1.5 W
Minimum Gain = 8 dB
Efficiency 60% (Typ)
Cost Effective PowerMacro Package
Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF557T UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF5583 VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRFQ17R2 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRFQ17 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRFQ17R1 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF557T 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MRF5583 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR PNP SILICON
MRF559 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF559G 功能描述:TRANS NPN 16V 150MA MACRO X RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF559GT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF559GT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
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