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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF525 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Si, RF POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | MRF525 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MRF545 | VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF531 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-39 |
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| MRF545 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF545 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS BIPO NPN TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-205AD 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-205AD 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF548 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MRF553 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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