參數(shù)資料
型號： MRF21030D
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS
中文描述： 射頻電源場效應晶體管N溝道ENANCEMENT模式橫向MOSFET的
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 377K
代理商： MRF21030D
7
MRF21030R3 MRF21030SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465E–03
ISSUE D
NI–400
MRF21030R3
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相關PDF資料
PDF描述
MRF21090SR3 RF Power Field Effect Transistors
MRFI0805-18NJB 1 ELEMENT, 0.018 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
MRFI0805-1R2KB 1 ELEMENT, 1.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
MRFI1008-100KB 1 ELEMENT, 10 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
MRFI1008-R33GB 1 ELEMENT, 0.33 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF21030LR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W 2.2GHZ LDMOS NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF21030LR5 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF21030LSR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF21030R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS
MRF21030S 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391B
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