參數(shù)資料
型號(hào)： MRF18060BS
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 465A-06, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： MRF18060BS
5
MRF18060B MRF18060BS
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS (DATA TAKEN USING WIDEBAND DEMONSTRATION BOARD)
IRL
Pin = 6 W
Figure 5. Power Gain versus
Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
8
10
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
0
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
100
10
40
G
18
1
o
Figure 7. Output Power versus Frequency
90
f, FREQUENCY (MHz)
0
Figure 8. Output Power and Efficiency
versus Input Power
Pin, INPUT POWER (WATTS)
20
1800
10
0
15
1
90
20
30
30
20
1900
60
100
30
22
50
40
10
η
,
30
0
2
50
70
1820
Figure 9. Wideband Gain and IRL
(at Small Signal)
15.0
f, FREQUENCY (MHz)
10.0
1700
10.5
12.0
12.5
2100
14.5
14.0
1900
1800
2000
10
9
13
16
14
500 mA
300 mA
100 mA
IDQ = 750 mA
26
1840
3
4
5
6
60
50
40
20
15
VDD = 26 Vdc
f = 1880 MHz
11
12
28
20
24
80
90
,
2.5 W
Pin = 5 W
VDD = 26 Vdc
IDQ = 500 mA
1 W
o
,
1860
1880
60
80
70
VDD = 26 Vdc
IDQ = 500 mA
1 W
0.5 W
3 W
50
40
60
70
80
o
,
25
30
Pout
VDD = 26 Vdc
IDQ = 500 mA
f = 1880 MHz
13.5
13.0
G
0
–10
–12
–18
–20
–16
–14
–2
–4
–6
–8
VDD = 26 Vdc
IDQ = 500 mA
Gps
35
45
55
11.0
11.5
I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF18090A RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF18090AS RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF18090BS RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF18090B RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF184 LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF18060BSR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF18060BST 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391BVAR
MRF18085A 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF18085ALR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF18085ALSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF POWER LDMOS NI-780LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*