參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1002
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： MICROWAVE POWER TRANSISTORS
中文描述： 微波功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： MRF1002
MRF1002MA MRF1002MB
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(TC = 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 35 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
2.5
5.0
pF
FUNCTIONAL TESTS
(Pulse Width = 10
μ
s, Duty Cycle = 1.0%)
Common–Base Amplifier Power Gain
(VCC = 35 Vdc, Pout = 2.0 W pk, f = 1090 MHz)
GPB
10
12
—
dB
Collector Efficiency
(VCC = 35 Vdc, Pout = 2.0 W pk, f = 1090 MHz)
η
40
45
—
dB
Load Mismatch
(VCC = 35 Vdc, Pout = 2.0 W, f = 1090 MHz,
VSWR = 10:1 All Phase Angles)
ψ
No Degradation in Power Output
Figure 1. 1090 MHz Test Circuit
C1, C3 — 220 pF Chip Capacitor, 100 mil ATC
C2 — 20
μ
F/50 Vdc Electrolytic
C4 — 0.1
μ
F Erie Redcap
L1, L2 — 2 Turns #18 AWG, 1/8
″
ID
Z1–Z14 — Distributed Microstrip Elements, See Photomaster
Board Material — 0.031
″
Thick Teflon–Fiberglass,
Board Material —
ε
r = 2.56
RF
INPUT
RF
OUTPUT
C1
Z13
C2
C3
C4
+
35 Vdc
–
+
L1
DUT
Z1
Z2
Z5
Z4
Z7
Z3
Z6
Z8
Z11
Z14
Z9
Z12
Z10
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PDF描述
MRF1002MA MICROWAVE POWER TRANSISTORS
MRF1002MB MICROWAVE POWER TRANSISTORS
MRF10031 MICROWAVE POWER TRANSISTOR
MRF10502 Microwave Power Transistor, NPN Silicon(微波NPN硅射頻功率晶體管)
MRF15030 CAP .00022UF 50V POLYPROPYLENE
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MRF10031 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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