參數(shù)資料
型號： MRF1002
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： MICROWAVE POWER TRANSISTORS
中文描述： 微波功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 109K
代理商： MRF1002
MRF1002MA MRF1002MB
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(TC = 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 35 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
2.5
5.0
pF
FUNCTIONAL TESTS
(Pulse Width = 10
μ
s, Duty Cycle = 1.0%)
Common–Base Amplifier Power Gain
(VCC = 35 Vdc, Pout = 2.0 W pk, f = 1090 MHz)
GPB
10
12
—
dB
Collector Efficiency
(VCC = 35 Vdc, Pout = 2.0 W pk, f = 1090 MHz)
η
40
45
—
dB
Load Mismatch
(VCC = 35 Vdc, Pout = 2.0 W, f = 1090 MHz,
VSWR = 10:1 All Phase Angles)
ψ
No Degradation in Power Output
Figure 1. 1090 MHz Test Circuit
C1, C3 — 220 pF Chip Capacitor, 100 mil ATC
C2 — 20
μ
F/50 Vdc Electrolytic
C4 — 0.1
μ
F Erie Redcap
L1, L2 — 2 Turns #18 AWG, 1/8
″
ID
Z1–Z14 — Distributed Microstrip Elements, See Photomaster
Board Material — 0.031
″
Thick Teflon–Fiberglass,
Board Material —
ε
r = 2.56
RF
INPUT
RF
OUTPUT
C1
Z13
C2
C3
C4
+
35 Vdc
–
+
L1
DUT
Z1
Z2
Z5
Z4
Z7
Z3
Z6
Z8
Z11
Z14
Z9
Z12
Z10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF1002MA MICROWAVE POWER TRANSISTORS
MRF1002MB MICROWAVE POWER TRANSISTORS
MRF10031 MICROWAVE POWER TRANSISTOR
MRF10502 Microwave Power Transistor, NPN Silicon(微波NPN硅射頻功率晶體管)
MRF15030 CAP .00022UF 50V POLYPROPYLENE
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參數(shù)描述
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MRF10031 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MRF1004 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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