參數(shù)資料
型號： MRF1001A
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
封裝： M246, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： MRF1001A
MSC1311.PDF 10-25-99
MRF1001A
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25
°
C)
STATIC
(off)
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC = 5.0 mAdc)
20
-
-
Vdc
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IC= 0.1 mAdc)
3.5
-
-
Vdc
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=1.0 mAdc)
30
-
-
Vdc
ICBO
Collector-Base
(VCB = 10 Vdc)
-
50
-
μ
A
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC = 50mA, IC/IB = 10)
-
100
-
mV
(on)
HFE
DC Current Gain
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
50
-
300
-
DYNAMIC
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
f
T
Current-Gain - Bandwidth Product
(IC = 90 mAdc, VCE = 14 Vdc, f = 300 MHz)
-
3.0
-
GHz
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PDF描述
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