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參數(shù)資料
| 型號： | MRF1001 |
| 廠商： | Microsemi Corporation |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 射頻 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 200K |
| 代理商： | MRF1001 |
MSC1311.PDF 10-25-99
MRF1001A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF331 | The RF Line |
| MRF449 | RF POWER TRANSISTORS |
| MRF449A | RF POWER TRANSISTORS |
| MRF5812 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF5812R1 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF1001A | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| MRF1002 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS |
| MRF1002MA | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS |
| MRF1002MB | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS |
| MRF10031 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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