參數資料
型號： MPXHZ6250A
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： Media Resistant and High Temperature Accuracy Integrated Silicon Pressure Sensor
中文描述： 媒體，抗高溫高精度集成硅壓力傳感器
文件頁數： 2/8頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： MPXHZ6250A
MPXHZ6250A
Sensors
2
Freescale Semiconductor
Figure 1. Fully Integrated Pressure Sensor Schematic
Table 1. Maximum Ratings
(1)
1. Exposure beyond the specified limits may cause permanent damage or degradation to the device.
2. Maximum Output Current is controlled by effective impedance from V
out
to GND or V
out
to V
S
in the application circuit.
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Pressure
P
MAX
1000
kPa
Storage Temperature
T
STG
–40 to +125
°
C
Operating Temperature
T
A
–40 to +125
°
C
Output Source Current @ Full Scale Output
(2)
I
o
+
0.5
mAdc
Output Sink Current @ Minimum Pressure Offset
2
I
o
–
-0.5
mAdc
Temperature
Compensation
and
Gain Stage #1
V
S
V
out
GND
Sensing
Element
Pins 1, 5, 6, 7, and 8 are NO CONNECTS
for small outline package devices.
Thin Film
Gain Stage #2
and
Ground
Reference
Shift Circuitry
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