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參數(shù)資料
| 型號： | MPSW63 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors |
| 中文描述： | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | MPSW63 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1996
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPSW63
MPSW64
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
–30
Vdc
Collector–Base Voltage
–30
Vdc
Emitter–Base Voltage
–10
Vdc
Collector Current — Continuous
–500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1.0
8.0
Watt
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
125
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –100
μ
Adc, VBE = 0)
V(BR)CES
–30
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
–100
nAdc
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
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by MPSW63/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
123
*Motorola Preferred Device
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW63 | One Watt Darlington Transistors(PNP Silicon) |
| MPSW64 | One Watt Darlington Transistors(PNP Silicon) |
| MPSW64 | One Watt Darlington Transistors |
| MPX2300D | PRESSURE SENSORS |
| MPX2300 | PRESSURE SENSORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW63_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSW63G | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW63RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW63RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW64 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors PNP Silicon |
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