參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW56J18Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 44K
代理商： MPSW56J18Z
MPSW56
MPSW56
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose medium power
amplifiers and switches requiring collector currents to 800 mA.
Sourced from Process 79.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
80
V
VCBO
Collector-Base Voltage
80
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
4.0
V
IC
Collector Current - Continuous
1.0
A
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSW56
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
1.0
8.0
W
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
125
°C/W
TO-226
C
B
E
*Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
2000 Fairchild Semiconductor Corporation
MPSW56, Rev A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW56D27Z 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
MPSW56J05Z 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSW63G 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW64RLRF 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW64RL1 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MPSW56RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW63 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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