參數(shù)資料
型號： MPSW55RL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 151K
代理商： MPSW55RL
MPSW55 MPSW56
http://onsemi.com
921
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = –50 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –250 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
hFE
100
50
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = –250 mAdc, IB = –10 mAdc)
VCE(sat)
—
–0.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = –250 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
VBE(on)
—
–1.2
Vdc
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = –250 mAdc, VCE = –5.0 Vdc, f = 20 MHz)
fT
50
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = –10 Vdc, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
15
pF
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
-0.5 -0.7
-1.0
-2.0
-3.0
-5.0 -7.0
-10
-20
-30
-50
-70
-100
-200
200
100
80
60
40
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
25°C
-55°C
VCE = -1.0 V
-300
-500
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS) -1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.1
-10
-1.0
TJ = 25°C
IC = -10 mA
-0.05
-0.2
-0.5
-2.0
-5.0
-20
-50
-100 mA
-250 mA -500 mA
-50
mA
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. “On” Voltages
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = -1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
-0.5
VBE(sat) @ IC/IB = 10
-1.0 -2.0
-5.0 -10
-20
-50 -100 -200
-500
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PDF描述
MPSW56ZL1 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW55RLRA 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW55ZL1 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW55RLRM 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW55RLRE 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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