參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW45RL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 188K
代理商： MPSW45RL1
MPSW45 MPSW45A
http://onsemi.com
915
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (A)
2.0
200k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
TJ = 25°C
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|h
fe
|,SMALL-SIGNAL
CURRENT
GAIN
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
40
Cibo
Cobo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100 200
500
VCE = 5.0 V
f = 100 MHz
TJ = 25°C
100k
70k
50k
30k
20k
10k
7.0k
5.0k
3.0k
2.0k
7.0 10
20
30
50 70 100
200 300
500
TJ = 125°C
25°C
-55°C
VCE = 5.0 V
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000
TJ = 25°C
IC = 10 mA 50 mA
250 mA 500 mA
Figure 10. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
-1.0
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
500
VBE(sat) @ IC/IB = 1000
R
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200 300
500
25°C TO 125°C
-55°C TO 25°C
*RqVC FOR VCE(sat)
qVB FOR VBE
25°C TO 125°C
-55°C TO 25°C
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW45ARLRM 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW45RLRM 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW45ARLRP 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW45RLRA 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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