型號(hào): | MPSW3725J18Z |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | TO-226, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/8頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
代理商: | MPSW3725J18Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MPSW3725D75Z | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
MPTC-01-16-02-6.30-01-L-V-LC | 16 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
MPTC-02-24-01-6.30-01-T-V-LC | 24 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
MPTC-02-80-01-6.30-01-L-V-LC | 80 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
MPTC-02-80-01-6.30-01-T-V-LC | 80 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MPSW42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW42_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
MPSW42G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW42RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW42RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |