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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSW14RL1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | MPSW14RL1 |
One Watt Darlington
Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCES
30
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
10
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
1.0
Adc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
125
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
50
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, VBE = 0)
V(BR)CES
30
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 2
906
Publication Order Number:
MPSW13/D
MPSW13
MPSW14
CASE 29–10, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
2
3
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW14RLRM | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW13RLRE | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW14RLRA | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW14RLRE | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW13ZL1 | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW3725 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW3725_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW42_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
| MPSW42G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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