型號: | MPSW06-05 |
廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 22K |
代理商: | MPSW06-05 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MPSW06-18 | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MPSW06 | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
MPSA06-18 | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MPSA06-J14Z | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MPSA06/D74Z-5 | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MPSW06G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW06RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW06RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW10 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
MPSW13 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |