- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄96043 > MPSW01RLRM (ON SEMICONDUCTOR) 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MPSW01RLRM |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | MPSW01RLRM |
MPSW01 MPSW01A
http://onsemi.com
902
Figure 5. Current Gain — Bandwidth Product
Figure 6. Capacitance
Figure 7. Active Region — Safe Operating Area
50
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
70
50
30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
80
60
40
0
1.0
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
500
100
50
TJ = 25°C
f
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
20
100
10
Cobo
5.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
200
1000
100
20
15
25
20
10
20
200
1 k
5.0
2.0
10
20
30 40
I C
,CURRENT-GAIN
-
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
2.0
Cibo
1.0
4.0
3.0
5.0
TA = 25°C
TC = 25°C
VCE = 10 V
TJ = 25°C
f = 20 MHz
Cibo
Cobo
DUTY CYCLE ≤ 10%
MPSW01
MPSW01A
100 ms
1.0 s
1.0 ms
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW01ZL1 | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01RL | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01RLRM | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01RLRE | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW01RLRA | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW05 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW05_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors |
| MPSW05G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW06 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW06_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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