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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSH10P |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | DEMD9SD |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | MPSH10P |
NPN SILICON PLANAR
RF TRANSISTOR
ISSUE 4 FEB 94
FEATURES
*
High f
T
=650MHz min
*
Max. capacitance 0.7pF
*
Low noise <5dB at 500MHz
APPLICATIONS
*
Keyless entry systems
*
Wideband instrumentation amplifiers
*
Telemetry
*
Wireless lans
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
25
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
3
V
Continuous Collector Current
I
C
25
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
500
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
30
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
25
V
I
C
=1mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
3
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off Current
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
100
nA
V
CB
=25V, I
E
=0
V
EB
=2V,I
C
=0
I
C
=4mA, I
B
=0.4mA
Emitter Cut-Off Current
100
nA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
0.5
V
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.95
V
IC=4mA, V
CE
=10V
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
60
I
C
=4mA, V
CE
=10V*
Transition Frequency
f
T
C
cb
r
b
C
c
650
MHz
I
C
=4mA, V
CE
=10V f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
=10V, I
C
=4mA,
f=31.8MHz
Collector Base Capacitance
0.7
pF
Collector Base Time
Constant
9
ps
Common-Base Feedback
capacitance
C
rb
0.65
pF
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
Noise Figure
N
f
5
dB
I
C
=2mA, V
=5V,
R
S
=50
,
f=500MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
MPSH10P
C
3-88
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MPU100 | 100W Medical Grade Desktop Switching Power Adapters |
| MPU100-102 | 100W Medical Grade Desktop Switching Power Adapters |
| MPU100-104 | 100W Medical Grade Desktop Switching Power Adapters |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSH10PSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10PSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10PSTZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF/UHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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