型號(hào): | MPSH05 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至92 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 268K |
代理商: | MPSH05 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PN2925 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
MPSH10 | NPN 1 GHz general purpose switching transistor |
MPSH10 | VHF/UHF Transistors |
MPSH10 | VHF/UHF Transistors(NPN Silicon) |
MPSH10 | NPN RF Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MPSH10 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Amp/Osc RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSH10_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |
MPSH10_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:VHF/UHF Transistors NPN Silicon |
MPSH10_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
MPSH10_D27Z | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |