參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA92
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 300 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： MPSA92
MPSA92 / MPSA94
MPSA92 / MPSA94
PNP
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
PNP
Version 2009-05-07
Dimensions / Mae [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
TO-92
(10D3)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA92
MPSA94
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
B open
- VCEO
300 V
400 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
E open
- VCBO
300 V
400 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
- VEBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- IC
300 mA
Base current – Basisstrom
- IB
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
-55...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, - VCB = 200 V
IE = 0, - VCB = 160 V
MPSA92
MPSA94
- ICB0
–
250 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0, - VEB = 3 V
- IEB0
–
100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sttigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
MPSA92
MPSA94
- VCEsat
–
500 mV
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
- VBEsat
–
0.9 V
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis ≤ 2%
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
16
18
9
2 x 2.54
E B C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA94 300 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA92 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA93 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA92 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA92 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS-A92 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA92 AMO 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA92 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA92,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA92,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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