參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA42RLRF
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 58K
代理商： MPSA42RLRF
MPSA42, MPSA43
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector Emitter Breakdown Voltage (Note 1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPSA42
MPSA43
V(BR)CEO
300
200
Vdc
Collector Base Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
MPSA42
MPSA43
V(BR)CBO
300
200
Vdc
Emitter Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
6.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 200 Vdc, IE = 0)
MPSA42
(VCB = 160 Vdc, IE = 0)
MPSA43
ICBO
0.1
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
MPSA42
(VEB = 4.0 Vdc, IC = 0)
MPSA43
IEBO
0.1
mAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 30 mAdc, VCE = 10 Vdc)
hFE
25
40
Collector Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
MPSA42
MPSA43
VCE(sat)
0.5
0.4
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
VBE(sat)
0.9
Vdc
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)
fT
50
MHz
CollectorBase Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
MPSA42
MPSA43
Ccb
3.0
4.0
pF
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA42TPE1 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42TPER1 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA43TPE1 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA43TPE2 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42TPE2 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
MPSA42RLRFG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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