參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA42
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Transistors NPN Silicon(NPN高電壓放大器)
中文描述： 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： MPSA42
MPSA42, MPSA43
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 1)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
MPSA42
MPSA43
V
(BR)CEO
300
200
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
MPSA42
MPSA43
V
(BR)CBO
300
200
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 100 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
6.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 200 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 160 Vdc, I
E
= 0)
MPSA42
MPSA43
I
CBO
0.1
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 Vdc, I
C
= 0)
(V
EB
= 4.0 Vdc, I
C
= 0)
MPSA42
MPSA43
I
EBO
0.1
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
DC Current Gain
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
(I
C
= 30 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
h
FE
25
40
40
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
MPSA42
MPSA43
V
CE(sat)
0.5
0.4
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
BE(sat)
0.9
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 20 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
50
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 20 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
MPSA42
MPSA43
C
cb
3.0
4.0
pF
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2%.
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PDF描述
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MPV2100 MONOLITHIC MICROWAVE SURFACE MOUNT VARACTOR DIODES
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參數(shù)描述
MPS-A42 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
MPSA42 AMO 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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