參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA42
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： XC2S30-6VQG100C - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 656K
代理商： MPSA42
Features
l
Through Hole Package
l
150
o
C Junction Temperature
Mechanical Data
l
Case: TO-92, Molded Plastic
l
Marking:
MPSA42 --------- A42
MPSA43 --------- A43
Maximum Ratings @ 25
o
C Unless Otherwise Specified
Charateristic
Symbol Value
Unit
Collector-Emitter Voltage MPSA42
MPSA43
V
CEO
300
200
300
200
V
Collector-Base Voltage MPSA42
MPSA43
V
CBO
V
Emitter-Base Voltage MPSA42
MPSA43
V
EBO
5.0
V
Collector Current(DC)
I
C
300
625
5.0
1.5
12
mA
mW
mW/
o
C
W
mW/
o
C
Power Dissipation@T
A
=25
o
C
P
d
Power Dissipation@T
C
=25
o
C
P
d
Thermal Resistance, Junction to
Ambient Air
Thermal Resistance, Junction to
Case
Operating & Storage Temperature
200
o
C/W
83.3
o
C/W
T
j
, T
STG
-55~150
o
C
MPSA42
THRU
MPSA43
NPN Silicon High
Voltage Transistor
625mW
Pin Configuration
Bottom View
C
B
E
TO-92
INCHES
MIN
.175
.175
.500
.016
.135
.095
MM
DIM
A
B
C
D
E
G
MAX
.185
.185
---
.020
.145
.105
MIN
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
MAX
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
NOTE
A
E
B
C
D
G
DIMENSIONS
www.
mc c semi
.c om
RJC
RJA
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA43 High Voltage Transistors
MPSA43 NPN Silicon High Voltage Transistor 625mW
MPSA42 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA42 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE, TELEPHONE )
MPSA43 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE, TELEPHONE )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS-A42 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱(chēng):Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
MPSA42 AMO 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA42,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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