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參數資料
| 型號： | MPSA27 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 237K |
| 代理商： | MPSA27 |
2002. 2. 20
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MPSA27
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 1
DARLINGTON TRANSISTOR
FEATURES
Complementary to MPSA77.
MAXIMUM RATINGS (Ta=25
)
TO-92
DIM
MILLIMETERS
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 MAX
2.30
D
1
2
3
B
A
J
K
G
H
F
L
E
C
E
C
M
N
0.45 MAX
M
1.00
N
1. EMITTER
3. COLLECTOR
2. BASE
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCE=50V, IE=0
-
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=10V, IB=0
-
100
nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100 A, IE=0
60
-
V
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=100 A, IE=0
60
-
V
DC Current Gain
hFE(1) *
VCE=5V, IC=10mA
10K
-
hFE(2) *
VCE=5V, IC=100mA
10K
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) *
ICB=0.1mA
-
1.5
V
Base-Emitter Voltage
VBE *
VCE=5V, IC=100mA
-
2
V
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
60
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Collector Current
IC
500
mA
Collector Power Dissipation
PC
625
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
* Pulse Test : PW
300 S, Duty Cycle
2%.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA28/D75Z-J61Z | 800 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA28-J61Z | 800 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA28/D74Z-J60Z | 800 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA28-J60Z | 800 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA28/D26Z-J05Z | 800 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS-A27 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| MPSA27_D74Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA27_D75Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA27_Q | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA27G | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 60V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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