參數(shù)資料
型號: MPSA18RLRE
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 185K
代理商: MPSA18RLRE
MPSA18
http://onsemi.com
867
Figure 2. Effects of Frequency
f, FREQUENCY (Hz)
7.0
10
20
30
5.0
Figure 3. Effects of Collector Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
3.0
10
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
NOISE VOLTAGE
e n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
e n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
I n
,NOISE
CURRENT
(pA)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
300 A
30 A
RS ≈ 0
3.0 mA
1.0 mA
7.0
10
20
30
5.0
3.0
0.01 0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
RS ≈ 0
f = 10 Hz
100 Hz
1.0 kHz
10 kHz
100 kHz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300 A
100 A
10 A
RS ≈ 0
10
10 20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
0.1
0.2
0.3
1.0
0.7
2.0
3.0
5.0
7.0
10 20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
0
4.0
8.0
12
16
20
BANDWIDTH = 10 Hz to 15.7 kHz
IC = 1.0 mA
500 A
100 A
10 A
100 Hz NOISE DATA
300
200
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
10 20
50 100 200 500 1k 2k
5k 10k 20k 50k 100k
V T
,TOT
AL
NOISE
VOL
TAGE
(nV)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
0
4.0
8.0
12
16
20
Figure 6. Total Noise Voltage
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300 A
100 A
30 A
10 A
10 20
50 100 200 500 1k 2k 5k 10k 20k 50k 100k
IC = 10 mA
300 A
100 A
30 A
3.0 mA
1.0 mA
10 A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
Figure 7. Noise Figure
0.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA18ZL1 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA18ZL1 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA18RL 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA18RLRB 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA18RLRM 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
MPSA18RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 45V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 45V NPN Low Noise RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 45V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 45V NPN Low Noise RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA194 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR