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參數(shù)資料
| 型號： | MPSA14,116 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | MPSA14,116 |
PAGE . 2
REV.0.1-JUN.29.2009
MMDT4403TB6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
Test C ondition
MIN.
TYP.
MAX.
Uni ts
C ollector - E mi tter Breakdown
Voltage
V(BR)CE O IC=-1.0mA, IB =0
-40
-
V
C ollector - Base Breakdown
Voltage
V(BR)CB O IC=-100uA, IE =0
-40
-
V
E mi tter - B ase B reakdown Voltage
V(BR)E BO IE=-100uA, IC =0
-5.0
-
V
B ase C utoff C urrent
IBL
VC E=-35V, VEB=-0.4V
-
-100
nA
Collector Cutoff Current
ICEX
VC E=-35V, VEB=-0.4V
-
-100
nA
D C C urrent Gain (Note 2)
h
FE
IC =-0.1mA, V C E =-1.0V
IC =-1.0mA, V C E =-1.0V
IC =-10mA, VCE=-1.0V
IC =-150mA, V C E =-2.0V
IC =-500mA, V C E =-2.0V
30
60
100
90
20
-
300
-
C ollector - E mi tter Saturation
Voltage (Note 2 )
V CE(SAT) IC =-150mA, IB=-15mA
IC =-500mA, IB=-50mA
--
-0.40
-0.75
V
Base - Emitter Saturati on Voltage
(Note 2)
V BE(SAT)
IC =-150mA, IB=-15mA
IC =-500mA, IB=-50mA
0.75
-
-0.95
-1.30
V
C ollector - Base C apaci tance
C CBO
V C B=-5V, IE =0, f=1MHz
-
6.5
pF
E mi tter - B ase C apaci tance
C EBO
V C B=-0.5V, IC =0, f= 1MHz
-
30
pF
C urrent Gai n - Bandwidth Product
FT
V C E=-10V, IC =-20mA,
f=100MHz
200
-
MHz
Delay Time
td
VC C =-30V,VBE=-2.0V,
IC =-150mA,IB1=-15mA
--
15
ns
Rise Time
tr
VC C =-30V,VBE=-2.0V,
IC =-150mA,IB1=-15mA
--
20
ns
S torage Ti me
ts
V CC=-30V,IC=-150mA
IB1=IB2=-15mA
--
225
ns
Fall Ti me
tf
V CC=-30V,IC=-150mA
IB1=IB2=-15mA
--
30
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA14-T/R | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA14-18 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA13-5 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA14-AMMO | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA14-BP | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA14-A | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA14-AP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA14DA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA14DB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA14DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
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