參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA06RL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： MPSA06RL
(NPN) MPSA05, MPSA06*, (PNP) MPSA55, MPSA56*
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector Emitter Breakdown Voltage (Note 2)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPSA05, MPSA55
MPSA06, MPSA56
V(BR)CEO
60
80
Vdc
Emitter Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
ICES
0.1
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
MPSA05, MPSA55
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
MPSA06, MPSA56
ICBO
0.1
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
100
Collector Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
0.25
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
VBE(on)
1.2
Vdc
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product (Note 3)
(IC = 10 mA, VCE = 2.0 V, f = 100 MHz)
MPSA05
MPSA06
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc, f = 100 MHz)
MPSA55
MPSA56
fT
100
50
MHz
2. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2%.
3. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
Figure 1. Switching Time Test Circuits
OUTPUT
TURNON TIME
1.0 V
VCC
+40 V
RL
* CS t 6.0 pF
RB
100
Vin
5.0 mF
tr = 3.0 ns
0
+10 V
5.0 ms
OUTPUT
TURNOFF TIME
+VBB
VCC
+40 V
RL
* CS t 6.0 pF
RB
100
Vin
5.0 mF
tr = 3.0 ns
5.0 ms
*Total Shunt Capacitance of Test Jig and Connectors For PNP Test Circuits, Reverse All Voltage Polarities
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA06T93 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06ZL1 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06RL 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06RL1 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA55RLRP 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSA06RL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06RL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06RLIG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MPSA06RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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