參數(shù)資料
型號(hào): MPSA06G-T92-B
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 244K
代理商: MPSA06G-T92-B
MPSA06
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
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www.unisonic.com.tw
QW-R201-035.C
TYPICAL CHARACTERISTICS
Curre
nt-Ga
in-Ba
ndw
idth
Prod
uct,
f T
(M
H
z)
Capacitance
0.1
0.5 1.0
10
50 100
4.0
8.0
10
20
80
Reverse Voltage, VR (Volts)
5.0
TJ=25°С
60
40
6.0
Cibo
Cobo
Active-Region Safe Operating Area
Collector-Emitter Voltage, VCE (Volts)
1.0
5.0
50
100
10
30
50
100
1.0k
10
700
300
20
500
200
70
2.0
TA=25°С
1.0s
1.0
m
s
100s
Current Limit
Thermal Limit
Second Breakdown
Limit
TC=25°С
DC
C
urren
tGain
,h
FE
“On” Voltages
0.5 1.0
5.0
50 100
500
0
1.0
Vo
ltag
e,
V
(Vol
ts)
Collector Current, IC (mA)
10
0.2
0.8
0.4
0.6
VBE(ON) @ VCE=1.0V
VCE(ON) @ IC/IB=10
VBE(SAT) @ IC/IB=10
TJ=25°С
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PDF描述
MPSA06G-T92-K 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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MPSA06RL 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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MPSA06L-T92-K 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN TRANSISTOR
MPSA06RA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2