參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA06
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： MPSA06
MPSA05 ... MPSA06
MPSA05 ... MPSA06
NPN
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
NPN
Version 2006-07-25
Dimensions - Mae [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
TO-92
(10D3)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA05
MPSA06
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
60 V
80 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
60 V
80 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
4 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
500 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
1 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis 2)
IC = 10 mA, VCE = 1 V
IC = 100 mA, VCE = 1 V
hFE
100
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sttigungsspg. 2)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
VCEsat
––
0.25 V
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 2)
IC = 100 mA, VCE = 1 V
VBE
–
1.2 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 60 V, (E open)
VCB = 80 V, (E open)
MPSA05
MPSA06
ICBO
–
100 nA
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis ≤ 2%
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
16
18
9
2 x 2.54
E BC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06-18 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA05-5 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA06-5 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA55-18 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS-A06 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱(chēng):Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06 T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*