參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA06
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors(NPN)(小信號(hào)晶體管（NPN）)
中文描述： 小信號(hào)晶體管（NPN）的（小信號(hào)晶體管（NPN）的）
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： MPSA06
MPSA06
Small Signal Transistors (NPN)
FEATURES
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for
switching and amplifier applications.
As complementary type, the PNP
transistor MPSA56 is recommended.
On special request, this transistor is
also manufactured in the pin configuration
TO-18.
This transistor is also available in the
SOT-23 case with the type designation MMBTA06
MECHANICAL DATA
Case:
TO-92 Plastic Package
Weight:
approx. 0.18g
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
80
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
80
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
4.0
V
Collector Current
I
C
500
mA
Power Dissipation at T
A
= 25 °C
P
tot
625
1.5
mW
W
at T
C
= 25 °C
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
R
θ
JA
200
(1)
K/W
Junction Temperature
T
j
150
°C
Storage Temperature Range
T
S
–65 to +150
°C
1)
Valid provided that leads are kept at ambient temperature
0.181 (4.6)
m
0.142 (3.6)
0.098 (2.5)
max.
0.022 (0.55)
E
C
B
TO-92
10/27/98
Dimensions in inches and (millimeters)
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PDF描述
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參數(shù)描述
MPS-A06 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06 T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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