參數(shù)資料
型號： MPS8550S-B
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 390K
代理商： MPS8550S-B
2003. 3. 25
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MPS8550S
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 1
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
Complementary to MPS8050S.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=-35V, IE=0
-
-100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=-6V, IC=0
-
-100
nA
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=-100 A, IE=0
-40
-
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=-2mA, IB=0
-25
-
V
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=-1V, IC=-5mA
45
170
-
hFE(2) (Note)
VCE=-1V, IC=-100mA
85
160
300
hFE(3)
VCE=-1V, IC=-800mA
40
80
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=-800mA, IB=-80mA
-
-0.28
-0.5
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=-800mA, IB=-80mA
-
-0.98
-1.2
V
Base-Emitter Voltage
VBE
VCE=-1V, IC=-10mA
-
-0.66
-1.0
V
Transition Frequency
fT
VCE=-10V, IC=-50mA
100
200
-
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=-10V, f=1MHz, IE=0
-
15
-
pF
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-25
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-6
V
Collector Current
IC
-1.5
A
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55 150
Note : hFE(2) Classification
B:85 160 , C : 120 200 , D : 160 300
* PC : Package Mounted On 99.5% Alumina (10 8 0.6 )
h
Rank
Type Name
Marking
Lot No.
BJ
FE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS8598ZL1 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPS8098ZL1 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS8098RL1 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS8598RLRM 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS8598RLRF 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
MPS8598 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8598_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8598G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors
MPS8598RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8598RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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