參數(shù)資料
型號(hào)： MPS8098D74Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： MPS8098D74Z
MPS8098
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 10 mA, IB = 060V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
60
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
6.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 60 V, IE = 0
0.1
A
ICEO
Collector Cutoff Current
VCE = 60 V, IB = 0
0.1
A
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 6.0 V, IC = 0
0.1
A
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA
VCE = 5.0 V, IC = 10 mA
VCE = 5.0 V, IC = 100 mA
100
75
300
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 5.0 mA
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.4
0.3
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA
0.5
0.7
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Cob
Output Capacitance
VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz
6.0
pF
Cib
Input Capacitance
VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz
25
pF
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V,
f = 100 MHz
150
MHz
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述
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MPS8098RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8098RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MPS8099_08 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors
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