參數資料
型號： MPS6601G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數： 2/8頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： MPS6601G
MPS6601, MPS6602 (NPN) MPS6651, MPS6652 (PNP)
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
MPS6601/6651
MPS6602/6652
V
(BR)CEO
25
40
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
MPS6601/6651
MPS6602/6652
V
(BR)CBO
25
40
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 25 Vdc, I
B
= 0)
(V
CE
= 30 Vdc, I
B
= 0)
MPS6601/6651
MPS6602/6652
I
CES
0.1
0.1
Adc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 25 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
MPS6601/6651
MPS6602/6652
I
CBO
0.1
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 1000 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
h
FE
50
50
30
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1000 mAdc, I
B
= 100 mAdc)
V
CE(sat)
0.6
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
V
BE(on)
1.2
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain — Bandwidth Product
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
obo
30
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time
(V
CC
= 40 Vdc, I
C
= 500 mAdc,
I
B1
= 50 mAdc,
t
p
300 ns Duty Cycle)
t
d
25
ns
Rise Time
t
r
30
ns
Storage Time
t
s
250
ns
Fall Time
t
f
50
ns
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