參數(shù)資料
型號： MPS6562J05Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 424K
代理商： MPS6562J05Z
MPS6562
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 10 mA, IB = 025V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
25
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 100
A, I
C = 0
5.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 20 V, IE = 0
100
nA
ICEO
Collector Cutoff Current
VCE = 25 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 4.0 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 1.0 V, IC = 10 mA
VCE = 1.0 V, IC = 100 mA
VCE = 1.0 V, IC = 500 mA
35
50
200
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 500 mA, IB = 50 mA
0.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
VCE = 1.0 V, IC = 500 mA
1.2
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Cob
Output Capacitance
VCB = 10 V, f = 100 kHz
30
pF
fT
Current Gain - Bandwidth product
IC = 10 mA, VCE = 10 V,
f = 20 MHz
60
MHz
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述
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MPS6564 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
MPS6565 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MPS6566 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS-65-7.5 功能描述:線性和開關(guān)式電源 60W 7.5V 8A RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長度: 寬度: 高度:
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