參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6518J05Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 292K
代理商： MPS6518J05Z
MPS6518
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 0.5 mA, IB = 0
40
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
4.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
VCB = 30 V, IE = 0, TA = 60
°C
0.5
1.0
A
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 10 V, IC = 2.0 mA
VCE = 10 V, IC = 100 mA
150
90
300
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.5
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Cob
Output Capacitance
VCB = 10 V, f = 100 kHz
4.0
pF
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述
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MPS651G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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