參數(shù)資料
型號: MPS6518D74Z
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大小: 292K
代理商: MPS6518D74Z
TO-92 (FS PKG Code 92, 94, 96)
TO-92 Package Dimensions
January 2000, Rev. B
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.1977
2000 Fairchild Semiconductor International
相關PDF資料
PDF描述
MPS6518J05Z 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPS6518D27Z 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6518L34Z 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6518D26Z 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6519-AMMO 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MPS6519 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS651G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS651RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS651RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS651RLRB 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk