參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6507
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Amplifier Transistor
中文描述： Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 59K
代理商： MPS6507
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
20
Vdc
Collector–Base Voltage
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
3.0
Vdc
Collector Current — Continuous
50
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
RJA(1)
RJC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (2)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
20
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
30
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
3.0
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 15 Vdc, IE = 0)
(VCB = 15 Vdc, IE = 0, TA = 60
°
C)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(2)
(IC = 2.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
ICBO
—
—
—
—
50
1.0
nAdc
Adc
hFE
25
75
—
—
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
700
800
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
1.25
2.5
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 2.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz)
hfe
20
—
—
—
1. RJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.
2. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
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by MPS6507/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
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PDF描述
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