型號: | MPS5179/D27Z-J18Z |
廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大小: | 99K |
代理商: | MPS5179/D27Z-J18Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MPS5179/D74Z-J18Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MPS5179/D74Z-J60Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MPS5179/D75Z-J61Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT5179S62Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT5401-13 | 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MPS5179G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 12V High Frequency NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS5179RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 12V High RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS5179RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 12V High Frequency NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS5179RLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 12V High RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS5179RLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 12V High Frequency NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |