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參數(shù)資料
| 型號： | MPS5172RLRP |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 169K |
| 代理商： | MPS5172RLRP |
MPS5172
http://onsemi.com
817
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.004
h
,DC
CURRENT
GAIN
FE
TJ = 125°C
-55°C
25°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
Figure 2. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
Figure 3. Collector Characteristics
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.6
100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
*qVC for VCE(sat)
qVB for VBE
0.1
0.2
0.5
Figure 4. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
V CE
,COLLECTOR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.002
TJ = 25°C
IC = 1.0 mA
10 mA
100 mA
Figure 5. Temperature Coefficients
50 mA
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40
60
80
100
20
0
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
PULSE WIDTH = 300 s
DUTY CYCLE ≤ 2.0%
IB = 500 A
400 A
300 A
200 A
100 A
*APPLIES for IC/IB ≤ hFE/2
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
40
60
0.006 0.01
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
5.0
10
15
20
25
30
35
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-2.4
0.8
0
-1.6
-0.8
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
0.1
0.2
0.5
200
100
80
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS5172RLRA | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS5172RL1 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS5172ZL1 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS5172RLRE | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS5179RL1 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS5179 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 12V High RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS5179_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |
| MPS5179_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Frequency Transistor NPN Silicon |
| MPS5179_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPS5179_D27Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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