型號: | MPS4250A |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
中文描述: | 進步黨(放大器晶體管) |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 30K |
代理商: | MPS4250A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MPS5172 | NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
MPS5179G | High Frequency Transistor NPN Silicon |
MPS5179RLRA | High Frequency Transistor NPN Silicon |
MPS5179RLRAG | High Frequency Transistor NPN Silicon |
MPS5179RLRP | High Frequency Transistor NPN Silicon |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MPS4250ARLRM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS4250ARLRMG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V Small Signal PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS4250G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V Small Signal PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS430P112 WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
MPS430P112IDW | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |